Page 15 - Fen Lisesi Fizik 12 | 6. Ünite

2.

6.2. YARI İLETKEN TEKNOLOJİLERİ BÖLÜM
6.2. YARI İLETKEN TEKNOLOJİLERİ

P Tipi Yarı İletkenler
Son yörüngesinde 4 elektron bulunan silisyum ya da germanyumun içine son yörüngesinde üç elektron
bulunan indiyum (ya da galyum, bor, alüminyum) karıştırılırsa indiyumun üç elektronu komşu elektronlarla
kovalent bağ yapar. Silisyum ya da germanyumun elektronlarından birisi bağ yapacak indiyum elektronu
bulamaz ve dışarıdan elektron almak ister.

Elektrona ihtiyaç olan yer bir oyuk (boşluk) ile ifade edilir. Oyuk, her an elektron çekmeye uygun durumda
olduğundan pozitif yüklü kabul edilir. Oyuk yönünden zengin, elektron yönünden fakir olan bu tip karışıma
da P tipi yarı iletken denir.

P tipi yarı iletkenin oluşumunda kullanılan maddeler elektron azalmasına neden olduklarından bunlara
alıcı (akseptör) adı verilir.

6.2.2. YARI İLETKEN MALZEMELERİN TEKNOLOJİDEKİ ÖNEMİ

P-N Eklemi P tipi yarı iletken
P-N eklemi
P tipi ve N tipi maddeler yalın hâlde elektriksel işlev-
leri yerine getiremezler. P ve N tipi malzeme bir ara-
da kullanılırsa oluşan bu birleşime P-N eklemi denir
(Şekil 6.2.1). P-N birleşimi, elektronik alanda devre
elemanlarının yapımında kullanılır.
295
Diyot

Diyot tek yönde elektrik akımını ileten bir devre ele-
manıdır. Diyotun P kutbuna “anot”, N kutbuna da N tipi yarı iletken
“katot” adı verilir. Genellikle alternatif akımı doğ-
ru akıma dönüştürmek için doğrultucu devrelerde
kullanılır. Diyotun devre sembolü Şekil 6.2.2: a’daki Şekil 6.2.1: Diyot PN eklemi
gibidir. Diyot, N tipi madde ile P tipi maddenin bir-
leşiminden oluşur. Bu maddeler ilk birleştirildiğinde
P tipi maddedeki oyuklarla N tipi maddedeki elekt-
ronlar iki maddenin birleşim noktasında buluşarak
birbirini nötrler ve burada yüksüz bir bölge oluşur.
Bu yüksüz bölge, kalan diğer elektron ve oyukların Yüksüz bölge
birleşmesine engel olur (Şekil 6.2.2: b).
Anot Katot

Şekil 6.2.2: a) Diyotun
devre sembolü
P tipi yarı iletken N tipi yarı iletken

Şekil 6.2.2: b) Diyotun yapısı