Page 270 - Fizik 12 - Beceri Temelli Etkinlik Kitabı

FİZİK 12 Ortaöğretim Genel Müdürlüğü

CEVAP ANAHTARLARIAP ANAHTARLARI
CEV
Etkinlik No.: 128 Etkinlik No.: 129
1 1 Silisyum atomuna dış yörüngesinde 5 elektron bulunan bir
atom katkılandığı zaman N tipi yarı iletken elde edilir. Silis-
Yalıt- Yarı
İletken yum atomu arsenik atomuyla katkılanırsa silisyumun 4 değer-
Bilgi kan İletken
Madde lik elektronu ile arseniğin 4 değerlik elektronu kovalent bağ
Madde Madde yapar. Arsenik ve silisyum atomlarının kurdukları kovalent
1. Elektrik akımına karşı çok az X bağdan her bir arsenik atomunun 1 elektronu açıkta kalır. Si-
direnç gösterirler. lisyumun arsenik ile katkılanmasıyla negatif yüklü madde elde
edilir. Arsenik ile katkılanmış silisyum atomlarının örgüsüne
2. Bazı özel şartlar altında iletken ait model aşağıdaki gibidir.
durumuna geçerler. X
3. Elektronları atomlarına sıkı X
olarak bağlıdır. Si Si Si
Fazlalık
4. Atomları 1, 2 veya 3 valans
elektronlu olan metallerdir. X elektronu
5. Kristal yapıya sahiptirler. X Si Ar Si
6. Bu maddelerin dış yörünge-
deki elektron sayıları 8 veya 8’e X
yakın olduğundan elektronların
atomdan uzaklaştırılması zordur. Si
7. Doğal olarak bulunabilecekleri 2 Silisyum atomuna dış yörüngesinde 3 elektron bulunan bir
gibi laboratuvarda bileşik olarak X atom katkılandığı zaman P tipi yarı iletken elde edilir. Silisyum
da elde edilebilirler.
atomu son yörüngesinde 3 elektron bulunan bor atomuyla
8. İletkenlik özelliği kazanma- katkılanırsa silisyumun değerlik elektronlarının 3 tanesi, bor
ları geçici olup dış etki kalkınca atomunun değerlik elektronları ile kovalent bağ yapar. Kurulan
elektronları tekrar atomlarına X bu kovalent bağlarda bir elektronluk eksiklik kalır. Bu eksikli-
döner. ğe oyuk adı verilir. Silisyumun bor ile katkılanmasıyla pozitif
yüklü madde elde edilir. Bor ile katkılanmış silisyum atomları-
2 Emir’in söylediği yanlıştır. N tipi yarı iletken elektron vermeye, nın kristal örgüsüne ait model aşağıdaki gibidir.
P tipi yarı iletken elektron almaya yatkındır. N tipi yarı iletken-
lerde yük taşıyıcısı elektronlarken P tipi yarı iletkenlerde yük Si Si Si
taşıyıcısı oyuklardır.
Eksik elektron
İrem’in söylediği doğrudur. Silisyum ve dış yörüngesinde 5 (oyuk)
elektron bulunan arsenik atomlarının kurdukları kovalent
bağdan her bir arsenik atomunun 1 elektronu açıkta kalır. Bu Si B Si
durumda N tipi bir yarı iletken elde edilir.
Yiğit’in söylediği doğrudur. Silisyumun değerlik elektronları-
nın 3 tanesi borun değerlik elekronları ile kovalent bağ yapar.
Bor atomunda eksik olan dördüncü elektron, geriye oyuk adı Si
verilen tamamlanmamış bir bağ bırakır.
Erdem’in söylediği yanlıştır. P tipi maddeye gerilim kaynağı Not: Konu ile ilgili bilgiler için bk. MEB Ortaöğretim Fizik 12 Ders
bağlandığında kaynağın negatif kutbundaki elektronlar geri- Kitabı, Sayfa: 244-245.
lim kaynağının pozitif kutbuna doğru ilerler. Bu durumda ge- Etkinlik No.: 130
rilim kaynağının pozitif kutbundan negatif kutbuna doğru bir
oyuk hareketi oluşur. Öğrencilerin verdiği cevaplara göre farklılık görülebilir. Muhtemel
cevap şöyledir:
Alya’nın söylediği doğrudur. N tipi maddeye gerilim kaynağı 1 Uygulamada daha çok alternatif akımı doğru akıma çevirme
bağlandığında üzerindeki serbest elektronlar gerilim kaynağı-
nın negatif kutbundan itilip pozitif kutbundan çekilir. Bu du- (doğrultma) işlevinde kullanılır. Bu özelliği ile elektrik devre-
lerinde akımı kontrol eden anahtar işlevindedir. Doğru akımla
rumda gerilim kaynağının negatif kutbundan pozitif kutbuna
doğru bir elektron akışı oluşur. çalışan ve doğrudan prize takılarak kullanılan tüm cihazlarda
kullanılır. Işık yayan ve ışığa duyarlı olarak akım geçirenleri
Bade’nin söylediği doğrudur. Saf kristal yapıdaki yarı iletken- de vardır.
lerin serbest elektronları yoktur. Bu nedenle yarı iletkenlere 2 Devrelerde yükseltici olarak ve anahtarlama amacıyla kullanıl-
çeşitli katkı maddeleri ilave edilerek bunların yalıtkanlıkları maktadır. Elektronik cihazlarda bu özelliklerinden yararlanıl-
düşürülür.
maktadır. Transistörler de diyotlar gibi elektronik cihazlarda
3 Sızıntı akımlarının fazla olması ve sıcaklıktan çok çabuk etki- yükseltici ve anahtar işlevi görür.
lenmeleri nedeniyle germanyum elementi devre elemanı üreti-
minde tercih edilmemektedir.
Not: Konu ile ilgili bilgiler için bk. MEB Ortaöğretim Fizik 12 Ders
Kitabı, Sayfa: 244-245.

268